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关于IGBT保护电路设计必知问题

2019-06-22    来源:雷竞技app安卓下载-雷竞技下载-雷竞技APP下载链接    点击:57   

1 引言

  IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、雷竞技APP下载链接大、频率高、导通电阻小等特点,因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须但对IGBT进行相关保护 本文从实际应用出发,总结出了过流、过压与过热保护的相关问题和各种保护方法,实用性强,应用效果好。

2 过流保护

  生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件,且IGBT承受过雷竞技APP下载链接的时间仅为几微秒(SCR、GTR等器件承受过流时间为几十微秒),耐过流量小,因此使用IGBT首要注意的是过流保护。产生过流的原因大致有:晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。


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